Laser Weapon System (LaWS)

http://golos-dobra.livejournal.com/642065.html

### Laser Weapon System (LaWS)

Никита Карамба
23 hours ago
Ваш лазер дерьмо. ДА кому он нужен на 1.5 км? Чаек сбивать?)) Идиотизм.﻿
Артём Мельчаков
1 day ago
В реальных условиях бесполезная игрушка, любая малейшая непогода уменьшает его действие, и от него очень легко защититься, да и перенаправить его можно. Очередной слив денег в никуда. И еще, лазеры запрещено использовать в качестве оружия.﻿
Очередной слив денег в никуда. И еще, лазеры запрещено использовать в качестве оружия
Очередной слив денег в никуда. И еще, лазеры запрещено использовать в качестве оружия
Очередной слив денег в никуда. И еще, лазеры запрещено использовать в качестве оружия
http://masterok.livejournal.com/1372408.html
Проект основывался на работах ФИАН по исследованиям и созданию лазеров на рубине. Локатор должен был осуществлять за короткое время поиск целей в «поле ошибок» радиолокаторов, обеспечивавших целеуказание лазерному локатору, что требовало весьма высоких по тем временам средних мощностей лазерного излучателя. Окончательный выбор структуры локатора определило реальное состояние работ по лазерам на рубине, достижимые параметры которых на практике оказались значительно ниже первоначально предполагавшихся: средняя мощность одного лазера вместо ожидавшихся 1 КВт составила в те годы примерно 10 Вт. Опыты, проведенные в лаборатории Н.Г.Басова в ФИАН, показали, что наращивание мощности путем последовательного усиления лазерного сигнала в цепочке (каскаде) лазерных усилителей, как это предусматривалось сначала, возможно лишь до определенного уровня. Слишком мощное излучение разрушало сами лазерные кристаллы. Возникли и трудности, связанные с термооптическими искажениями излучения в кристаллах.
В связи с этим пришлось установить в локаторе не один, а 196 поочередно работающих с частотой 10 Гц лазеров с энергией в импульсе 1 Дж. Общая средняя мощность излучения многоканального лазерного передатчика локатора была около 2 КВт. Это привело к значительному усложнению его схемы, которая была многолучевой как при излучении, так и при регистрации сигнала. Потребовалось создать высокоточные быстродействующие оптические устройства для формирования, переключения и наведения 196 лазерных лучей, определявших поле поиска в пространстве цели. В приемном устройстве локатора использовалась матрица из 196 специально разработанных ФЭУ. Задачу усложняли погрешности, связанные с крупногабаритными подвижными оптико-механическими системами телескопа и оптико-механическими переключателями локатора, а также с искажениями, вносимыми атмосферой. Общая длина оптического тракта локатора достигала 70 м и в его состав входили многие сотни оптических элементов — линз, зеркал и пластин, в том числе движущихся, взаимная юстировка которых должна была сохраняться с высочайшей точностью.
http://www.polyus.info/books/nii-polyus-50-let/chapter09/
1992 г.
Восстановлено производство монокристаллов и активных элементов для твердотельных лазеров
1998 г.
Восстановлено производство гироскопических датчиков
2002 г.
Создан действующий макет гирокомпаса на лазерном гироскопе д
2016 г.
Нарисован прототип макета источника света модели Яблочкова
http://www.polyus.info/books/nii-polyus-50-let/chapter17/
Как известно, в то время в стране отсутствовало специальное оборудование для выращивания высокотемпературных монокристаллов кислородсодержащих диэлектриков (сегнетоэлектриков) методом Чохральского. Для проведения опытов мы располагали только двумя установками: «Редмет-1» (разработка института «Гиредмет») с графитовым прямонакальным нагревателем, на которой были выращены первые кристаллы флюорита с самарием, и установка ВЦП (лабораторного типа) разработки Института кристаллографии АН СССР, в которой в качестве источника нагрева использовались промышленные высокочастотные генераторы закалочного типа ИО-60012 и ЛПЗ-67. Эти генераторы предназначены для процессов кратковременного действия и не обладали необходимой для выращивания монокристаллов стабильностью и интервалом регулирования мощности.
Помню, как нам с Н.И. Сергеевой после многочисленных опытов по выращиванию кристаллов алюмо-иттриевого граната (АИГ) из вольфрамовых и молибденовых тиглей удалось получить довольно-таки прозрачный кристалл из иридиевого тигля. Где удалось достать этот тигель размером всего 50 x 50 мм нашему вездесущему снабженцу — руководителю З.И. Татарову, мне до сих пор неизвестно.
Но тогда же мы поняли, что в основе технологии выращивания монокристаллов АИГ лежит иридий.
Но путь на получение фонда на применение этого редкого металла лежал через Госплан. В Госплане, куда я пришел просить иридий, я получил некий «ликбез», полезный как геохимику.
Сотрудник Госплана Кравченко сказала тогда, что в стране в год производится порядка 500 кг иридия, а потребность в нем ежегодно растет хотя бы для технологии покрытия сопел ракет, чем умерила мой аппетит. Получение фонда иридия всего в несколько килограммов было по тем временам победой.
В это же время были приобретены английские установки для выращивания монокристаллов фирмы «Родайн», которые первое время работали в «мраморном зале» НИИ «Титан», а в 1965 г. были перевезены в новое здание института.
Появление установок фирмы «Родайн» и опыт выращивания монокристаллов на них позволили сформулировать требования к будущему отечественному специальному оборудованию для выращивания кристаллов методом Чохральского.
Заместитель министра электронной промышленности А.А. Захаров, который серьезно интересовался делами института, поверил в квантовую электронику и подключил к разработке ростового оборудования КБ завода электронного машиностроения (г. Ворошиловград, ныне Луганск, Украина).
На базе установок «Киноварь» в Ворошиловграде в 1975 г. начался массовый серийный выпуск ростовых установок «Кристалл», создавших прочную базу для промышленного выпуска монокристаллов для лазеров.
http://www.polyus.info/books/nii-polyus-50-let/chapter14/
Радикальное улучшение параметров импульсных полупроводниковых лазеров произошло в середине 90-х годов при использовании наногетероструктур с квантоворазмерными слоями. Это было начало реальной нанотехнологии. Основой являлась газовая эпитаксия из металлорганических соединений, позволявшая создать недостижимые ранее композиции полупроводниковых материалов. Огромный вклад в создание принципиально новых технологий внес коллектив под руководством В.А. Горбылева. Почти десять лет вновь созданный коллектив молодых энтузиастов-инженеров трудился над созданием базовой технологии полупроводниковых лазеров следующих десятилетий.
лазерный диод, не имеющий аналогов по совокупности параметров, позволивший провести модернизацию чрезвычайно эффективных противотанковых комплексов «Корнет-Э» и «Вихрь»
В непростые 90-е годы потребность в уникальных технических решениях была не на первом плане. Однако когда встала задача радикального (на порядок) улучшения энергетических параметров лазеров для зенитного ракетно-пушечного комплекса «Панцирь-С», разработанные ранее технические решения на новом технологическом уровне были реализованы и созданы опытные образцы.
Участок выращивания наногетероструктур
Участок выращивания наногетероструктур
Участок выращивания наногетероструктур